AMG Power, ведущий поставщик электронных компонентов, выпустил обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением -5/+18 В – A2G100N1700MT4.
Это инновационное решение предназначено для применения в промышленных, автомобильных и потребительских приложениях, где необходимо максимальное энергосбережение.
SiC MOSFET поколения Gen2 от AMG Power обеспечивает до 99% эффективность при преобразовании электрической энергии и позволяет достичь большей мощности и меньшей потребляемой мощности в сравнении с другими решениями. Данная модель имеет предельное напряжение 1700 В, сопротивление 25 мОм и ток пробоя 100 А. Она также имеет управляющее напряжение -5/+18 В и выпущена в корпусе TO-247-4.
Решение AMG Power позволяет построить надежные, экономичные и мощные системы, обеспечивая максимальное энергосбережение при минимальных затрата
